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搜索 2SA1943-O(Q) 共 15 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
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￥18.600483

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国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

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2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
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￥7.258309

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￥7.13097

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￥7.003631

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￥6.876293

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
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￥7.385648

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￥7.258309

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￥7.13097

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￥7.003631

库存： 1000 +

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品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+100：

￥10.161632

+200：

￥9.983358

+300：

￥9.805084

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￥9.62681

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
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￥7.98414

库存： 1000 +

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品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

自营 国内现货
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2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
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TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

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双极性晶体管
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￥21.056347

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￥17.695985

+25：

￥16.700857

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￥14.316153

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￥13.520555

库存： 1000 +

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品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

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封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

Digi-Key
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2SA1943-O(Q)_双极性晶体管
2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
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￥35.38844

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￥29.668972

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￥28.001728

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￥24.003084

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￥22.669412

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

Mouser
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2SA1943-O(Q)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌

TRANS PNP 230V 15A TO3P

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未分类
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￥46.261137

+10：

￥36.596996

+50：

￥36.438567

+100：

￥31.210425

+200：

￥28.992426

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： 30MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（L）

温度： 150°C（TJ）

艾睿
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2SA1943-O(Q)_未分类
2SA1943-O(Q)
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Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray

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未分类
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￥25.345645

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￥23.803703

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￥21.04106

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货期：7~10 天

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2SA1943-O(Q)
TOSHIBA(东芝)
授权代理品牌
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￥21.903844

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￥20.289139

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￥17.305442

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￥15.822369

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2SA1943-O(Q)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 230 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 3V 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 1A，5V
功率 - 最大值: 150 W
频率 - 跃迁: 30MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PL
供应商器件封装: TO-3P（L）
温度: 150°C（TJ）