2SA1943-O(Q)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2SA1943-O(Q) 共 16 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥18.600483	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥7.258309 +200：￥7.13097 +300：￥7.003631 +400：￥6.876293	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥7.385648 +100：￥7.258309 +500：￥7.13097 +1000：￥7.003631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+500：￥7.98414 +1000：￥7.844067 +2000：￥7.774031 +4000：￥7.703995	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥7.976499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥10.785593 +10：￥9.475971 +30：￥8.320314 +100：￥8.089253 +300：￥7.935172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PL 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥24.577729 +10：￥16.141252 +25：￥13.906117 +80：￥11.705691 +230：￥10.187813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥59.664678 +10：￥39.210403 +25：￥33.779387 +100：￥27.575792 +300：￥23.97342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥53.231087 +10：￥40.959747 +20：￥36.979851 +50：￥31.175839 +100：￥30.346694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3PL 供应商器件封装： TO-3P（L）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943-O(Q) Toshiba 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray 下载数据手册未分类	+100：￥23.773818 +200：￥20.879479 +230：￥20.66279 +440：￥20.477058 +500：￥20.275847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SA1943-O(Q)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	230 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	3V 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）:	5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 1A，5V
功率 - 最大值:	150 W
频率 - 跃迁:	30MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3PL
供应商器件封装:	TO-3P（L）
温度:	150°C（TJ）