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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SARA41CHZGT116S 授权代理品牌 | +1: ¥8.172458 +10: ¥6.569401 +100: ¥4.479137 +500: ¥3.363282 +1000: ¥2.530319 |
2SARA41CHZGT116S参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 50 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 120 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 500mV 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 180 2mA,6V |
功率 - 最大值: | 200 mW |
频率 - 跃迁: | 140MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装: | SOT-323 |
温度: | 150°C(TJ) |