品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 450mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 400nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，1V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： -

供应商器件封装： SMD

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 450mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 400nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，1V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： -

供应商器件封装： SMD

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 15 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 450mV 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 400nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 20 100mA，1V

功率 - 最大值： 500 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： -

供应商器件封装： SMD

温度： -65°C # 200°C（TJ）