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2SA2071P5T100Q_未分类
2SA2071P5T100Q
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60V 3A POWER TRANSISTOR FOR HIGH

未分类

+10:

¥3.160229

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2SA2071P5T100Q_双极性晶体管
授权代理品牌

60V 3A POWER TRANSISTOR FOR HIGH

双极性晶体管

+1000:

¥1.27112

+2000:

¥1.158995

+5000:

¥1.084227

+10000:

¥1.058107

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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2SA2071P5T100Q_双极性晶体管
授权代理品牌

60V 3A POWER TRANSISTOR FOR HIGH

双极性晶体管

+1000:

¥3.109496

+2000:

¥2.83521

+5000:

¥2.652306

+10000:

¥2.58841

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SA2071P5T100Q_双极性晶体管
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60V 3A POWER TRANSISTOR FOR HIGH

双极性晶体管

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¥8.075502

+10:

¥6.857093

+100:

¥5.121567

+500:

¥4.024148

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

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双极性晶体管

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工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

Mouser
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60V 3A POWER TRANSISTOR FOR HIGH

未分类

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¥8.094294

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¥6.88725

+100:

¥5.140587

+500:

¥4.032947

+1000:

¥3.109913

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 180MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SA2071P5T100Q参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 100mA,2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 180MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C(TJ)