品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.6V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： 175°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1V 50mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 150mA，10V

功率 - 最大值： 800 mW

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）

温度： -55°C # 200°C（TJ）