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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N6059_双极性晶体管
2N6059
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

双极性晶体管

+1:

¥897.784503

+200:

¥358.228692

+500:

¥346.252404

+1000:

¥340.340751

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

2N6059_未分类
2N6059
授权代理品牌
+1:

¥54.210186

+200:

¥21.635995

+500:

¥20.914795

+1000:

¥20.554195

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N6059_未分类
2N6059
授权代理品牌

2N6059 ISC/无锡固电半导体

未分类

+10:

¥26.941823

+100:

¥20.206368

+500:

¥16.165094

+1000:

¥13.470912

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
2N6059_未分类
2N6059
授权代理品牌

2N6059 MULTICOMP PRO

未分类

+28:

¥30.580123

+100:

¥27.782008

+500:

¥25.691059

+1000:

¥23.292604

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
2N6059_未分类
2N6059
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: 200°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: TO-204AA, TO-3

供应商器件封装: TO-3

2N6059_未分类
2N6059
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

未分类

+1:

¥573.212571

+10:

¥573.10692

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N6059_双极性晶体管
2N6059
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

双极性晶体管

+100:

¥362.955522

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

2N6059_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3

双极性晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: STMicroelectronics

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 12 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 3V 120mA,12A

电流 - 集电极截止(最大值): 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 750 6A,3V

功率 - 最大值: 150 W

频率 - 跃迁: 4MHz

工作温度: 200°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: TO-204AA,TO-3

供应商器件封装: TO-3

温度: 200°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N6059_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN DARL 100V 12A TO3

双极性晶体管

+1:

¥39.524155

+10:

¥37.559504

+20:

¥35.594852

+50:

¥33.630202

+100:

¥32.821228

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 200°C (TJ)

安装类型: Chassis Mount

封装/外壳: TO-204AA, TO-3

供应商器件封装: TO-3

2N6059_双极性晶体管

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

双极性晶体管

+100:

¥586.027598

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: -

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

电压 - 集射极击穿(最大值): -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -

功率 - 最大值: -

频率 - 跃迁: -

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -

2N6059参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: -
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -
电压 - 集射极击穿(最大值): -
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): -
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): -
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
温度: -