品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： onsemi

包装： 托盘,托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 12 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 120mA，12A

电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 750 6A，3V

功率 - 最大值： 150 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-204AA，TO-3

供应商器件封装： TO-204（TO-3）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-204AA, TO-3

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP - Darlington

Operating Temperature： -

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： -

Current - Collector Cutoff (Max)： -

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： -

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-3

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 12 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 100 V