锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 2N6051 共 3 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N6051_双极性晶体管
2N6051
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

双极性晶体管
+1：

￥30.002058

+10：

￥20.001372

+100：

￥15.001029

+500：

￥12.000824

+1000：

￥10.000686

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N6051_双极性晶体管
2N6051
Microchip Technology(美高森美)
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

双极性晶体管
+1：

￥51.843456

+10：

￥34.562304

+100：

￥25.921728

+500：

￥20.737382

+1000：

￥17.281152

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N6051_未分类
2N6051
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

下载数据手册

未分类
+1：

￥718.890389

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N6051参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: -
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: -
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: -
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: -
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
温度: -