品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： 2nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： 2nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C # 200°C（TJ）

品牌： Central Semiconductor Corp

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 65 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： 2nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 150mA，10V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 60MHz

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐

供应商器件封装： TO-39

温度： -65°C # 200°C（TJ）