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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2SC5242-O(Q) 授权代理品牌 | 1+: |
2SC5242-O(Q)参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
晶体管类型: | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 15 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 230 V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 3V 800mA,8A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 5µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 80 1A,5V |
功率 - 最大值: | 130 W |
频率 - 跃迁: | 30MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
供应商器件封装: | TO-3P(N) |
温度: | 150°C(TJ) |