品牌： Goford Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 1.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 2.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 20V

连续漏极电流(Id)： 2.8A

功率(Pd)： 1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 90mΩ@4.5V,2.8A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 700mV@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.9nC@2.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 285pF@10V

反向传输电容(Crss@Vds)： 32pF@10V

工作温度： +150℃@(Tj)

类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 18V

连续漏极电流(Id)： 2.8A

功率(Pd)： 1.25W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 85mΩ@4.5V,1A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.1V@250μA

品牌： Goford Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 1.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 2.5 V

Vgs（最大值）： ±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Laird Technologies EMI

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

类型： -

形状： -

长度： -

宽度： -

厚度 - 总体： -

工作温度： -

粘合剂： -

材料： -

温度： -

品牌： Adafruit Industries LLC

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

显示类型： TFT - 彩色

显示模式： 可传导的

触摸屏： -

屏幕对角线尺寸： 7（177.80mm）

可视范围： 154.21mm 宽 x 85.92mm 高

背光： -

点像素： 1024 x 600

接口： -

控制器类型： -

图形颜色： 红色，绿色，蓝色（RGB）

背景颜色： -

温度：