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搜索 2SA1943N(S1,E,S) 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册双极性晶体管	+20：￥13.213079 +100：￥9.88207 +500：￥7.661357 +1000：￥5.551722 +5000：￥4.996574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥22.652231 +200：￥9.036852 +500：￥8.741816 +1000：￥8.588834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥5.478396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥10.090323 +100：￥8.057996 +1000：￥7.469692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥55.840019 +25：￥31.490711 +100：￥25.645104 +500：￥20.960356 +1000：￥19.455888	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 下载数据手册晶体管	+1：￥44.442153 +10：￥32.834129 +25：￥32.502471 +100：￥23.050221 +250：￥22.552735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 15 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 230 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 3V 800mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）： 5µA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 1A，5V 功率 - 最大值： 150 W 频率 - 跃迁： 30MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装： TO-3P（N）温度： 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) Toshiba 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine 下载数据手册未分类	+25：￥21.181297 +100：￥17.4233 +500：￥15.671219 +1000：￥14.914357	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SA1943N(S1,E,S) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Bipolar Transistors - BJT TRANS PWR 下载数据手册未分类	+25：￥14.46751 +100：￥14.17425 +500：￥13.880988 +1000：￥13.58773 +2500：￥13.392222	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	2SA1943N(S1,E,S) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Bipolar Transistors - BJT TRANS PWR 下载数据手册未分类	+25：￥18.533932 +100：￥13.224212 +250：￥12.522928 +500：￥10.919993 +1000：￥10.018342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SA1943N(S1,E,S)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	15 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	230 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	3V 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）:	5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 1A，5V
功率 - 最大值:	150 W
频率 - 跃迁:	30MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装:	TO-3P（N）
温度:	150°C（TJ）