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自营 现货库存
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2SC4117-GR,LF_null
2SC4117-GR,LF
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

+5:

¥0.810942

+50:

¥0.663901

+150:

¥0.590381

+500:

¥0.513184

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

自营 国内现货
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2SC4117-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

双极性晶体管

+3000:

¥0.288093

+6000:

¥0.249195

+15000:

¥0.206649

+30000:

¥0.203002

+75000:

¥0.182337

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC4117-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

双极性晶体管

+3000:

¥0.497824

+6000:

¥0.430608

+15000:

¥0.357089

+30000:

¥0.350788

+75000:

¥0.315079

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

2SC4117-GR,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

双极性晶体管

+1:

¥2.718325

+10:

¥2.261153

+25:

¥1.892942

+100:

¥0.92423

+250:

¥0.909403

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

2SC4117-GR,LF_双极性晶体管
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NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-70, SOT-323

供应商器件封装: USM

Mouser
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2SC4117-GR,LF_未分类
2SC4117-GR,LF
授权代理品牌

NPN TRANSISTOR VCEO120V IC0.1A H

未分类

+1:

¥3.305877

+10:

¥2.67225

+100:

¥1.418772

+500:

¥0.936666

+1000:

¥0.633627

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: SC-70

温度: 125°C(TJ)

艾睿
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2SC4117-GR,LF_未分类
2SC4117-GR,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R

未分类

+3000:

¥0.385094

+9000:

¥0.33794

+24000:

¥0.319602

+45000:

¥0.301265

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2SC4117-GR,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 120 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 100 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: SC-70
温度: 125°C(TJ)