品牌： Sanken

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 1A，4V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F

温度： 150°C（TJ）

品牌： Sanken

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 200mA，2A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100µA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 1A，4V

功率 - 最大值： 25 W

频率 - 跃迁： 15MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3 整包

供应商器件封装： TO-220F

温度： 150°C（TJ）

品牌： Diotec Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： ITO-220AB-3

系列：

产品种类： 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格： Through Hole

晶体管极性： NPN

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 60 V

集电极—基极电压 VCBO： 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO： 6 V

集电极—射极饱和电压： 500 mV

最大直流电集电极电流： 4 A

Pd-功率耗散： 25 W

增益带宽产品fT： 15 MHz

商标： Diotec Semiconductor

直流电流增益 hFE 最大值： 40

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors

商标名： 2SC3851

单位重量： 2.820 g

温度： - 55 C~+ 150 C