晶体管类型： PNP

集射极击穿电压(Vceo)： 40V

集电极电流(Ic)： 200mA

功率(Pd)： 625mW

集电极截止电流(Icbo)： 100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 400mV@50mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce)： 100@10mA,1V

特征频率(fT)： 250MHz

工作温度： +150℃@(Tj)

晶体管类型： PNP

集射极击穿电压(Vceo)： 40V

集电极电流(Ic)： 200mA

功率(Pd)： 625mW

集电极截止电流(Icbo)： 100nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)： 400mV@50mA,5mA

特征频率(fT)： 250MHz

工作温度： +150℃@(Tj)

品牌： STMicroelectronics

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 200 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 400mV 5mA，50mA

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 10mA，1V

功率 - 最大值： 625 mW

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92

温度： 150°C（TJ）