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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4236 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥816.857142 +200：￥325.93861 +500：￥315.044121 +1000：￥309.667905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）
	2N4236 Solid State 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥11.451779 +200：￥4.578526 +500：￥4.425544 +1000：￥4.349053	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4236 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥238.46495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）
	2N4236 Solid State 授权代理品牌	TO 39 PNP SILICON TRANSISTOR 下载数据手册	+100：￥238.46495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 125mA, 1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 100mA, 1V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： 3MHz 工作温度： -65°C ~ 200°C (TJ) 安装类型： Through Hole 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供应商器件封装： TO-39 温度： -65°C ~ 200°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4236 Microchip Technology(美高森美) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册双极性晶体管	+100：￥583.348455	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4236 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	TRANS PNP 80V 1A TO-39 下载数据手册晶体管	+：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 80 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 600mV 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）： 1mA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 250mA，1V 功率 - 最大值： 1 W 频率 - 跃迁： - 工作温度： -65°C # 200°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装： TO-39（TO-205AD）温度： -65°C # 200°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4236 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag 下载数据手册未分类	+100：￥573.544448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2N4236参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	600mV 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 250mA，1V
功率 - 最大值:	1 W
频率 - 跃迁:	-
工作温度:	-65°C # 200°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装:	TO-39（TO-205AD）
温度:	-65°C # 200°C（TJ）