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2DB1386R-13_双极性晶体管
2DB1386R-13
授权代理品牌

TRANS PNP 20V 5A SOT89-3

双极性晶体管

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¥1.279575

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¥0.939323

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¥0.680625

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¥0.646624

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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2DB1386R-13_双极性晶体管
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TRANS PNP 20V 5A SOT89-3

双极性晶体管

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¥0.27891

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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双极性晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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双极性晶体管

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系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

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系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

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系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100mA,4A

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 500mA,2V

功率 - 最大值: 1 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: SOT-89-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

2DB1386R-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V 100mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 180 500mA,2V
功率 - 最大值: 1 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: SOT-89-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)