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搜索 2SA1313-O(TE85L,F)6 条相关记录
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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA1313-O(TE85L,F)_双极性晶体管
2SA1313-O(TE85L,F)
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

双极性晶体管

+1:

¥0.626573

+200:

¥0.250007

+500:

¥0.241652

+1000:

¥0.237525

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

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2SA1313-O(TE85L,F)_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

双极性晶体管

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¥0.723338

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

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2SA1313-O(TE85L,F)_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

双极性晶体管

+3000:

¥0.694153

+6000:

¥0.643896

+9000:

¥0.533926

+30000:

¥0.524596

+75000:

¥0.471104

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

2SA1313-O(TE85L,F)_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

2SA1313-O(TE85L,F)_双极性晶体管
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TRANS PNP 50V 500MA TO236-3

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

Mouser
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晶体管

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¥5.693925

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¥3.890849

+100:

¥2.467369

+1000:

¥1.107153

+3000:

¥0.806641

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 不适用于新设计

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: S-Mini

温度: 150°C(TJ)

2SA1313-O(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 不适用于新设计
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 70 100mA,1V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
温度: 150°C(TJ)