品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： 15 mA

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 6 V 100 pA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6pF 15V

电阻 - RDS(On)： 400 Ohms

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： 175°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供应商器件封装： TO-72

温度： 175°C (TJ)

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-72-4

系列： 2N422

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： 15 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 30 V

闸/源截止电压： - 6 V

Vgs=0时的漏-源电流： 6 mA

Id-连续漏极电流： 100 pA

Pd-功率耗散： 300 mW

商标： InterFET

正向跨导 - 最小值： 2000 uS

产品类型： JFETs

类型： JFET

温度： ~