品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Packaging： Box

Package / Case： TO-213AA, TO-66-2

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C ~ 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 125mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 5mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 25 @ 1A, 1V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-66

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 250 V

Power - Max： 35 W

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 125mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 1A, 10V

功率 - 最大值： 35 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-213AA, TO-66-2

供应商器件封装： TO-66

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： Solid State Inc.

包装： Box

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 125mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 1A, 1V

功率 - 最大值： 35 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C ~ 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-213AA, TO-66-2

供应商器件封装： TO-66

温度： -65°C ~ 200°C (TJ)

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

品牌： NTE Electronics, Inc

包装： Bag

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 250 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 750mV 125mA, 1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 5mA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 1A, 10V

功率 - 最大值： 35 W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-213AA, TO-66-2

供应商器件封装： TO-66

温度： -65°C # 200°C (TJ)

Packaging： Box

Package / Case： TO-213AA, TO-66-2

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： NPN

Operating Temperature： -65°C ~ 200°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 750mV @ 125mA, 1A

Current - Collector Cutoff (Max)： 5mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 25 @ 1A, 1V

Frequency - Transition： -

Supplier Device Package： TO-66

Current - Collector (Ic) (Max)： 2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 250 V

Power - Max： 35 W