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2SC4082T106P_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

双极性晶体管

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¥0.25771

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¥0.237887

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¥0.233918

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¥0.222021

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC4082T106P_双极性晶体管
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三极管(晶体管) 2SC4082T106P SC-70(SOT-323)

双极性晶体管

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¥0.846758

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¥0.572572

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¥0.304557

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¥0.289311

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SC4082T106P_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

双极性晶体管

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¥0.370717

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC4082T106P_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

双极性晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

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2SC4082T106P_未分类
2SC4082T106P
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

未分类

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¥0.218176

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包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

2SC4082T106P_未分类
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

未分类

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¥0.383231

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¥0.266344

+1500:

¥0.223762

+3000:

¥0.192776

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¥0.189824

库存: 1000 +

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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温度: 150°C(TJ)

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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

双极性晶体管

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¥0.325061

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¥0.314063

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

温度: 150°C(TJ)

2SC4082T106P_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 0.05A UMT3

双极性晶体管

+3000:

¥0.296121

+9000:

¥0.291258

+15000:

¥0.28628

+30000:

¥0.281419

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¥0.234419

库存: 1000 +

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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温度: 150°C(TJ)

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双极性晶体管

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¥0.623015

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¥0.45247

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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封装/外壳: *

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晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

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¥1.48991

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¥1.319602

+30000:

¥1.302599

+75000:

¥1.10686

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V

功率 - 最大值: 200 mW

频率 - 跃迁: 1.5GHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-70,SOT-323

供应商器件封装: UMT3

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2SC4082T106P参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 4mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 82 10mA,10V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 1.5GHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商器件封装: UMT3
温度: 150°C(TJ)