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2SAR293P5T100_双极性晶体管
2SAR293P5T100
授权代理品牌

PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

+20:

¥1.303533

+100:

¥0.881364

+500:

¥0.64614

+1000:

¥0.470448

+2000:

¥0.446732

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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2SAR293P5T100_双极性晶体管
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

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¥1.007961

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¥0.744115

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¥0.664972

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¥0.612139

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SAR293P5T100_双极性晶体管
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

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¥1.06722

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SAR293P5T100_null
2SAR293P5T100
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

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¥1.105056

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

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2SAR293P5T100_双极性晶体管
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

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¥0.699845

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¥0.629884

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¥0.594845

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¥0.542373

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¥0.507393

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

+1000:

¥1.712006

+2000:

¥1.540863

+5000:

¥1.455147

+10000:

¥1.326788

+25000:

¥1.241217

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

2SAR293P5T100_双极性晶体管
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

+1:

¥6.942094

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¥5.227822

+100:

¥3.252868

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¥2.225722

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

双极性晶体管

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¥1.078738

+50:

¥0.822928

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¥0.775942

+500:

¥0.728959

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¥0.708075

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

Mouser
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2SAR293P5T100_晶体管
2SAR293P5T100
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PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST

晶体管

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¥6.361852

+10:

¥5.105796

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¥3.131989

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¥2.022743

+2000:

¥1.778056

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V

功率 - 最大值: 500 mW

频率 - 跃迁: 320MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度: 150°C(TJ)

艾睿
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2SAR293P5T100_未分类
2SAR293P5T100
授权代理品牌

Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

未分类

+1:

¥4.60749

+10:

¥3.773659

+25:

¥3.743675

+50:

¥3.450978

+100:

¥2.571456

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货期:7~10 天

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2SAR293P5T100参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 270 100mA,2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 320MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: 150°C(TJ)