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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+300：￥0.712811 +500：￥0.482064 +1000：￥0.353804 +3000：￥0.256399 +6000：￥0.243573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册	+10：￥0.473238 +100：￥0.38743 +300：￥0.344526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.996072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥0.224232 +100：￥0.192166 +300：￥0.168203 +1000：￥0.141578 +5000：￥0.134517	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.786143 +200：￥0.505651 +1500：￥0.440939 +3000：￥0.389773 +45000：￥0.385258	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.330502 +30000：￥0.320546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SOT-346 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥0.52793 +6000：￥0.51619 +9000：￥0.457201 +30000：￥0.451302 +75000：￥0.383434	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+3000：￥1.447251 +6000：￥1.311553 +9000：￥1.242402 +15000：￥1.164533 +21000：￥1.118485	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 800 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 32 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 120 100mA，3V 功率 - 最大值： 200 mW 频率 - 跃迁： 200MHz 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3 温度： 150°C（TJ）
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.731399 +10：￥4.084736 +100：￥2.582409 +500：￥1.927936 +1000：￥1.716355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3
	2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PNP 32V 0.8A SMT3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.731399 +10：￥4.084736 +100：￥2.582409 +500：￥1.927936 +1000：￥1.716355	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3

2SB1197KT146Q参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	800 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	32 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	120 100mA，3V
功率 - 最大值:	200 mW
频率 - 跃迁:	200MHz
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SMT3
温度:	150°C（TJ）