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2SC6026MFVGR,L3F_未分类
2SC6026MFVGR,L3F
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A VESM

未分类

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¥0.347904

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¥0.28636

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¥0.255586

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¥0.232508

+5000:

¥0.214044

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 60MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

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2SC6026MFVGR,L3F_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 50V 0.15A VESM

双极性晶体管

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¥0.442376

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 60MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

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2SC6026MFVGR,L3F_双极性晶体管
2SC6026MFVGR,L3F
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TRANS NPN 50V 0.15A VESM

双极性晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 60MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

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2SC6026MFVGR,L3F_双极性晶体管
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TRANS NPN 50V 0.15A VESM

双极性晶体管

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¥0.392141

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¥0.325226

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¥0.319421

+56000:

¥0.286974

+200000:

¥0.248719

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 60MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

2SC6026MFVGR,L3F_双极性晶体管
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TRANS NPN 50V 0.15A VESM

双极性晶体管

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¥2.525053

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¥1.729662

+100:

¥0.842106

+500:

¥0.701965

+1000:

¥0.487715

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

2SC6026MFVGR,L3F_双极性晶体管
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TRANS NPN 50V 0.15A VESM

双极性晶体管

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¥2.525053

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¥1.729662

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¥0.842106

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¥0.701965

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¥0.487715

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

Mouser
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未分类

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¥3.210398

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¥2.199123

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¥0.898912

+1000:

¥0.545769

+2500:

¥0.465508

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 60MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

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2SC6026MFVGR,L3F_未分类
2SC6026MFVGR,L3F
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+8000:

¥1.068865

+16000:

¥0.878436

+24000:

¥0.664311

库存: 0

货期:7~10 天

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2SC6026MFVGR,L3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 60MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VESM
温度: 150°C(TJ)