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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N3585_双极性晶体管
2N3585
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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双极性晶体管
+1：

￥505.189547

+200：

￥201.57535

+500：

￥194.844151

+1000：

￥191.511334

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N3585_未分类
2N3585
授权代理品牌
+1：

￥48.866751

+200：

￥19.505177

+500：

￥18.849541

+1000：

￥18.521723

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
2N3585_未分类
2N3585
Solid State
授权代理品牌
+1：

￥94.477176

+200：

￥37.699082

+500：

￥36.442445

+1000：

￥35.819591

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N3585_双极性晶体管
2N3585
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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双极性晶体管
+100：

￥168.445729

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N3585_双极性晶体管
2N3585
Microchip Technology(美高森美)
授权代理品牌

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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双极性晶体管
+100：

￥412.062886

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N3585_双极性晶体管
2N3585
NTE Electronics, Inc
授权代理品牌
+5：

￥43.636022

+10：

￥41.510891

+20：

￥39.244084

+50：

￥37.118955

+100：

￥36.268901

库存： 0

货期：7~10 天

系列： *

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N3585_未分类
2N3585
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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未分类
+1：

￥472.612458

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

功率 - 最大值： -

频率 - 跃迁： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N3585_未分类
2N3585
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 300V 2A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray

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未分类
+1：

￥437.090272

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

2N3585参数规格

属性 参数值
品牌: Microchip Technology
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: -
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: -
电压 - 集射极击穿（最大值）: -
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: -
电流 - 集电极截止（最大值）: -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: -
功率 - 最大值: -
频率 - 跃迁: -
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
温度: -