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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SA2154MFVGR,L3F_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

双极性晶体管

+8000:

¥0.218447

+16000:

¥0.185912

+24000:

¥0.171969

+56000:

¥0.14873

+200000:

¥0.123632

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

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2SA2154MFVGR,L3F_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

双极性晶体管

+8000:

¥0.377477

+16000:

¥0.321257

+24000:

¥0.297162

+56000:

¥0.257005

+200000:

¥0.213635

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

2SA2154MFVGR,L3F_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

双极性晶体管

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¥2.347644

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¥2.11288

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¥2.006618

+100:

¥0.883456

+250:

¥0.848117

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

2SA2154MFVGR,L3F_双极性晶体管
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

Mouser
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2SA2154MFVGR,L3F_晶体管
2SA2154MFVGR,L3F
授权代理品牌

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度: 150°C(TJ)

2SA2154MFVGR,L3F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 80MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VESM
温度: 150°C(TJ)