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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC3326-B,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A TO236

双极性晶体管

+3000:

¥0.510743

+6000:

¥0.459682

+15000:

¥0.408622

+30000:

¥0.383058

+75000:

¥0.361375

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236

温度: 125°C(TJ)

Digi-Key
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2SC3326-B,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A TO236

双极性晶体管

+3000:

¥0.882563

+6000:

¥0.794329

+15000:

¥0.706097

+30000:

¥0.661922

+75000:

¥0.624455

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236

温度: 125°C(TJ)

2SC3326-B,LF_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A TO236

双极性晶体管

+1:

¥4.741228

+10:

¥3.527011

+100:

¥1.99941

+500:

¥1.323845

+1000:

¥1.014971

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236

2SC3326-B,LF_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 0.3A TO236

双极性晶体管

+1:

¥4.741228

+10:

¥3.527011

+100:

¥1.99941

+500:

¥1.323845

+1000:

¥1.014971

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2SC3326-B,LF_未分类
2SC3326-B,LF
授权代理品牌

TRANS NPN 20V 0.3A TO236

未分类

+1:

¥5.564385

+10:

¥4.152932

+100:

¥2.347899

+500:

¥1.560742

+1000:

¥1.194307

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 150 mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: TO-236

温度: 125°C(TJ)

艾睿
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2SC3326-B,LF_未分类
2SC3326-B,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R

未分类

+1:

¥4.827264

+10:

¥3.648202

+25:

¥3.612473

+100:

¥2.093984

+250:

¥2.072291

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

2SC3326-B,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V
功率 - 最大值: 150 mW
频率 - 跃迁: 30MHz
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236
温度: 125°C(TJ)