类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 340mA

功率(Pd)： 350mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 2.5Ω@10V,300mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250μA

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 300mA

功率(Pd)： 225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 3Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250μA

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Digi-Key 停止提供

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 250mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 21 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Panasonic Electronic Components

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）