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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N7002DW L6327_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: PG-SOT363-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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2N7002DW L6327_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: PG-SOT363-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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2N7002DW L6327_null
2N7002DW L6327
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: OptiMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V

功率 - 最大值: 500mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: PG-SOT363-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

2N7002DW L6327参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20pF 25V
功率 - 最大值: 500mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: PG-SOT363-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)