锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
搜索 2SK209-GR(TE85L,F) 共 14 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+5：

￥0.946618

+20：

￥0.858969

+100：

￥0.771321

+500：

￥0.68366

+1000：

￥0.642758

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+20：

￥1.642938

+100：

￥1.111022

+800：

￥0.81554

+3000：

￥0.590964

+6000：

￥0.56144

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+5：

￥1.738286

+50：

￥1.477531

+150：

￥1.216776

+500：

￥1.086459

+3000：

￥0.99946

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+5：

￥1.738286

+50：

￥1.477531

+150：

￥1.216776

+500：

￥1.086459

+3000：

￥0.99946

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+5：

￥1.073386

+50：

￥0.845115

+150：

￥0.733657

+500：

￥0.634218

+3000：

￥0.606901

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+1：

￥0.806344

+10：

￥0.782628

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥0.713097

+6000：

￥0.701212

+9000：

￥0.689327

+12000：

￥0.677442

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥0.641787

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+1：

￥1.23301

+50：

￥0.939883

+1500：

￥0.847829

+3000：

￥0.76485

+18000：

￥0.751993

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
授权代理品牌
+3000：

￥1.017045

+6000：

￥0.951485

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150mW（Ta）
工作温度: -55°C # 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 125°C（TA）