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搜索 2SK209-GR(TE85L,F) 共 14 条相关记录
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2SK209-GR(TE85L,F)_晶体管-FET，MOSFET-射频
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba(东芝)
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品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

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包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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技术： MOSFET（金属氧化物）

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2SK209-GR(TE85L,F)
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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

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FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

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FET 类型： N 通道

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功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

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品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10mA（Ta）

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V

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功率耗散（最大值）： 150mW（Ta）

工作温度： -55°C # 125°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-59

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 125°C（TA）

2SK209-GR(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 13 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 150mW（Ta）
工作温度: -55°C # 125°C（TA）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-59
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 125°C（TA）