2SK209-Y(TE85L,F)厂家价格_数据手册

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+20：￥1.323861 +100：￥0.990143 +800：￥0.767624 +3000：￥0.556237 +15000：￥0.500577	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）
	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+5：￥2.025056 +50：￥1.721346 +150：￥1.417515 +500：￥1.26566 +3000：￥1.164383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册	+5：￥1.277507 +50：￥1.025087 +150：￥0.916907 +500：￥0.781955 +3000：￥0.721856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥1.047134	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.870997 +6000：￥0.855716 +9000：￥0.848077 +12000：￥0.840436 +456000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥0.869603 +6000：￥0.82539 +9000：￥0.7664 +30000：￥0.751974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+3000：￥2.12728 +6000：￥2.019123 +9000：￥1.874819 +30000：￥1.839529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥6.286539 +10：￥5.400709 +100：￥3.749063 +500：￥2.927528 +1000：￥2.379599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 1kHz 安装类型： - 电压-额定： - 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-射频	+1：￥6.286539 +10：￥5.400709 +100：￥3.749063 +500：￥2.927528 +1000：￥2.379599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 频率： 1kHz 安装类型： - 电压-额定： - 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59

Mouser

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	2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH SOT23 下载数据手册晶体管	+1：￥7.186459 +10：￥6.173822 +100：￥4.295543 +500：￥3.348237 +1000：￥2.727589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 10 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-59 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 125°C（TJ）

2SK209-Y(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	10 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14mA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-59
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	125°C（TJ）