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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5116_晶体管-JFET
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

电阻 - RDS(On): -

功率 - 最大值: -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -

2N5116_晶体管-JFET
授权代理品牌

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

晶体管-JFET

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装:

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 30 V

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 25pF 15V

电阻 - RDS(On): 150 Ohms

功率 - 最大值: 500 mW

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-18

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N5116_未分类
2N5116
授权代理品牌

P-CHANNEL MOSFET TO-18

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -

FET Type: P-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V

Supplier Device Package: TO-18

Part Status: Active

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 mV

Power - Max: 500 mW

Resistance - RDS(On): 150 Ohms

2N5116_晶体管-JFET
2N5116
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Microchip Technology

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500

零件状态: Discontinued at Digi-Key

FET 类型: P-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 30 V

漏源电压(Vdss): 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 25 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 15V

电阻 - RDS(On): 175 Ohms

功率 - 最大值: 500 mW

工作温度: -65°C # 200°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装: TO-18

温度: -65°C # 200°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5116_晶体管-JFET
授权代理品牌

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

晶体管-JFET

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Central Semiconductor Corp

包装:

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 30 V

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 5 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 1 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 25pF 15V

电阻 - RDS(On): 150 Ohms

功率 - 最大值: 500 mW

工作温度: -65°C # 200°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-18

温度: -65°C # 200°C(TJ)

2N5116_晶体管-JFET
授权代理品牌
+200:

¥822.30165

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

电阻 - RDS(On): -

功率 - 最大值: -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -

2N5116_晶体管-JFET

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Microchip Technology

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: Military, MIL-PRF-19500

零件状态: Discontinued at Digi-Key

FET 类型: P-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 30 V

漏源电压(Vdss): 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 25 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 4 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 27pF 15V

电阻 - RDS(On): 175 Ohms

功率 - 最大值: 500 mW

工作温度: -65°C # 200°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装: TO-18

温度: -65°C # 200°C (TJ)

2N5116_未分类
2N5116
授权代理品牌

P-CHANNEL MOSFET TO-18

未分类

+10:

¥76.003098

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -

FET Type: P-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V

Supplier Device Package: TO-18

Part Status: Active

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 mV

Power - Max: 500 mW

Resistance - RDS(On): 150 Ohms

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
2N5116_未分类
2N5116
授权代理品牌

JFET JFET P-Channel 30V Low Noise

未分类

+1:

¥203.140443

+10:

¥178.929419

+25:

¥174.120379

+50:

¥164.502301

+100:

¥154.718395

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Bulk

標準包裝數量: 1

2N5116_未分类
2N5116
授权代理品牌

JFET P-CH 30V TO-18

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

电阻 - RDS(On): -

功率 - 最大值: -

工作温度: -

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐

供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)

温度: -

2N5116参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: -
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -
漏源电压(Vdss): -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): -
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
电阻 - RDS(On): -
功率 - 最大值: -
工作温度: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-206AA(TO-18)
温度: -