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	2N6661 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) 2N6661 TO-5-3 下载数据手册未分类	+1：￥270.59472 +30：￥150.3304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥184.375827 +30：￥169.700503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥171.40958 +25：￥157.068488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 SUPERTEX(超科) 授权代理品牌	2N6661 SUPERTEX 下载数据手册未分类	+10：￥96.579107 +25：￥93.3598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥225.717431 +5：￥181.940808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 900MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥59.141209 +10：￥52.130371 +100：￥50.66032 +250：￥48.18968 +500：￥47.530068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Box 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4mOhm 1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 860mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 900MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Box 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4mOhm 1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥227.172648 +25：￥208.170155 +100：￥200.562016	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N6661参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 24 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-39
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥171.40958 +25：￥157.068488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 SUPERTEX(超科) 授权代理品牌	2N6661 SUPERTEX 下载数据手册未分类	+10：￥96.579107 +25：￥93.3598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥225.717431 +5：￥181.940808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 900MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥59.141209 +10：￥52.130371 +100：￥50.66032 +250：￥48.18968 +500：￥47.530068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Box 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4mOhm 1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6661 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 860mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6661 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 90V 900MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥92.865103 +25：￥85.097141 +100：￥81.987037	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Solid State Inc. 包装： Box 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 90 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4mOhm 1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W (Tc) 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 温度： -55°C # 150°C (TJ)