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	2N6660 美国微芯(MICROCHIP) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) 2N6660 TO-5-3 下载数据手册未分类	+1：￥202.424893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	2N6660 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥159.931524 +30：￥153.440725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N6660 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 990mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-205AD（TO-39）封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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2N6660 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 990mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-205AD（TO-39）封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39 下载数据手册未分类	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Box Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3Ohm @ 1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±40V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 25 V

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6660 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥225.515986 +25：￥206.652071 +100：￥199.099412	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 990mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-205AD（TO-39）封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39 下载数据手册未分类	+5：￥70.207807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Box Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3Ohm @ 1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±40V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N6660 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 下载数据手册未分类	+1：￥259.223715 +25：￥237.540222 +100：￥228.736399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N6660参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	410mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 24 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	6.25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-39
封装/外壳:	TO-205AD，TO-39-3 金属罐
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
2N6660 Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 410MA TO39 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 410mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-39 封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 990mA（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 725mW（Ta），6.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-205AD（TO-39）封装/外壳： TO-205AD，TO-39-3 金属罐温度： -55°C # 150°C（TJ）
2N6660 Solid State 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39 下载数据手册未分类	+1：￥92.187882 +25：￥84.476569 +100：￥81.389144	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Box Package / Case： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3Ohm @ 1A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 1mA Supplier Device Package： TO-39 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±40V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 50 pF @ 25 V