品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 200 µA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7pF 15V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 200 µA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7pF 15V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-18-3

系列： 2N43

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： 15 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 50 V

闸/源截止电压： - 1 V

Vgs=0时的漏-源电流： 600 uA

Id-连续漏极电流： 100 pA

Rds On-漏源导通电阻： 2.5 kOhms

Pd-功率耗散： 300 mW

商标： InterFET

正向跨导 - 最小值： 600 uS

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 4.250 g

温度： ~

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 200 µA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 300 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7pF 15V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -55°C # 175°C（TJ）