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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4118A 授权代理品牌	2N4118A INTERFETCORPORATION 下载数据手册未分类	+1：￥155.369505 +10：￥142.705892 +25：￥136.746442 +100：￥120.57104 +500：￥101.208906	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4118A Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装： TO-206AF（TO-72）温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4118A Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装： TO-206AF（TO-72）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4118A Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装： TO-206AF（TO-72）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N4118A InterFET 授权代理品牌	JFET JFET N-Channel -40V Low Ciss 下载数据手册晶体管	+1：￥230.775899 +10：￥211.966083 +25：￥203.114405 +100：￥179.08842 +500：￥159.172146	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： InterFET 包装： Bulk 封装/外壳： TO-72-4 系列： 2N411 产品种类： JFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 配置： Single Vds-漏源极击穿电压： 10 V Vgs-栅源极击穿电压： - 40 V 闸/源截止电压： - 3 V Vgs=0时的漏-源电流： 240 uA Id-连续漏极电流： 1 nA Pd-功率耗散： 300 mW 商标： InterFET 正向跨导 - 最小值： 80 uS 产品类型： JFETs 类型： JFET 单位重量： 671.076 mg 温度： ~
	2N4118A Vishay(威世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 下载数据手册晶体管-JFET	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay Siliconix 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 µA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 1 V 1 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 300 mW 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装： TO-206AF（TO-72）温度： -55°C # 175°C（TJ）

2N4118A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay Siliconix
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	40 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	80 µA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	1 V 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	300 mW
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:	TO-206AF（TO-72）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）