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搜索 2N4392 共 14 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌
+1：

￥344.493114

+200：

￥137.465057

+500：

￥132.864676

+1000：

￥130.602731

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： -

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N4392_未分类
2N4392
Solid State
授权代理品牌

N CHANNEL J-FET T0-18

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未分类
+1：

￥57.258895

+200：

￥22.848922

+500：

￥22.084013

+1000：

￥21.712485

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -

FET Type： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 14pF @ 20V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 40 V

Supplier Device Package： TO-18

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 mV

Resistance - RDS(On)： 60 Ohms

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 2 V @ 1 nA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 25 mA @ 20 V

图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N4392_未分类
2N4392
Central(美国中央)
授权代理品牌

2N4392 美国中央半导体

未分类
+1：

￥18.490351

+25：

￥17.120561

+100：

￥15.85258

库存： 1000 +

国内：1~2 天

封装/外壳： TO-18

晶体管类型： N-Channel

2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

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晶体管-JFET
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 1.8 W

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

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晶体管-JFET
1+:

需询价

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 1.8 W

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Microchip Technology(微芯)
授权代理品牌
+100：

￥129.287357

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： -

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N4392_未分类
2N4392
Solid State
授权代理品牌

N CHANNEL J-FET T0-18

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未分类
+10：

￥21.010492

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -

FET Type： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 14pF @ 20V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 40 V

Supplier Device Package： TO-18

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 mV

Resistance - RDS(On)： 60 Ohms

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 2 V @ 1 nA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 25 mA @ 20 V

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Microchip Technology(美高森美)
授权代理品牌
+100：

￥223.408122

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： -

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： -

工作温度： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度： -

2N4392_晶体管-JFET
2N4392
Vishay(威世)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18

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晶体管-JFET
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 25 mA 20 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 2 V 1 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14pF 20V

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 1.8 W

工作温度： -65°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-206AA，TO-18-3 金属罐

供应商器件封装： TO-206AA（TO-18）

温度： -65°C # 200°C（TJ）

2N4392_未分类
2N4392
Solid State
授权代理品牌

N CHANNEL J-FET T0-18

下载数据手册

未分类
+10：

￥36.306059

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -

FET Type： -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 14pF @ 20V

Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)： 40 V

Supplier Device Package： TO-18

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 mV

Resistance - RDS(On)： 60 Ohms

Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id： 2 V @ 1 nA

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)： 25 mA @ 20 V

2N4392参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 40 V
漏源电压（Vdss）: -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 25 mA 20 V
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 2 V 1 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14pF 20V
电阻 - RDS(On): 60 Ohms
功率 - 最大值: 1.8 W
工作温度: -65°C # 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-206AA（TO-18）
温度: -65°C # 200°C（TJ）