搜索 2N7002E 共 29 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002E 授权代理品牌 | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW | +10: ¥0.307824 +50: ¥0.284737 +200: ¥0.265498 +600: ¥0.246259 +1500: ¥0.230868 | |||
2N7002E 授权代理品牌 | 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA | +1: ¥0.117975 +100: ¥0.11011 +300: ¥0.102245 +500: ¥0.09438 +2000: ¥0.090448 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002E 授权代理品牌 | N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT | +1: ¥0.192148 | Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | ||
2N7002E 授权代理品牌 | +1: ¥0.109626 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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2N7002E 授权代理品牌 | +3000: ¥0.077574 +9000: ¥0.076204 +15000: ¥0.074201 +24000: ¥0.071461 +315000: ¥0.068088 | 暂无参数 | |||
2N7002E 授权代理品牌 | +3000: ¥0.075783 +9000: ¥0.074412 +30000: ¥0.073042 | Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | |||
2N7002E 授权代理品牌 | +10: ¥0.207848 +50: ¥0.204264 +500: ¥0.197097 +5000: ¥0.191722 +30000: ¥0.179178 | 暂无参数 | |||
2N7002E 授权代理品牌 | 1+: | 暂无参数 |
2N7002E参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 240mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3 欧姆 250mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.6 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 21 pF 5 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 350mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |