品牌： TT Electronics

包装： *

封装/外壳： TO-39-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 200 V

Id-连续漏极电流： 5.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 400 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： -

Pd-功率耗散： 25 W

通道模式： Enhancement

商标： Semelab / TT Electronics

配置： Single

下降时间： 30 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 42 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 12 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

单位重量： 1.109 g

温度： - 55 C~+ 150 C