品牌： Microsemi Corporation

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.34 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 800mW（Ta），25W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-39

封装/外壳： TO-205AF 金属罐

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： TT Electronics

包装： *

封装/外壳： TO-39-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 8 A

Rds On-漏源导通电阻： 180 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4 V

Qg-栅极电荷： -

Pd-功率耗散： 25 W

通道模式： Enhancement

商标： Semelab / TT Electronics

配置： Single

下降时间： 45 ns

产品类型： MOSFET

上升时间： 75 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 40 ns

典型接通延迟时间： 30 ns

单位重量： 1.109 g

温度： - 55 C~+ 150 C