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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+10：￥2.465136 +100：￥2.00808 +200：￥1.610496 +500：￥1.437984 +800：￥1.334736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+5：￥0.812664 +50：￥0.679712 +150：￥0.613236 +500：￥0.563381 +2500：￥0.523495	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.422653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+9000：￥0.492107 +15000：￥0.479489 +60000：￥0.453441 +90000：￥0.435962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.764297 +50：￥0.521569 +1500：￥0.466291 +3000：￥0.418493 +18000：￥0.410313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.802698 +200：￥0.517574 +1500：￥0.450085 +3000：￥0.398802 +45000：￥0.393825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.817515 +200：￥0.527183 +1500：￥0.45842 +3000：￥0.40621 +45000：￥0.401117	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.596416 +6000：￥0.570259 +9000：￥0.493143 +30000：￥0.483923 +75000：￥0.400732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	2N7002DWS-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.030606 +6000：￥0.985406 +9000：￥0.85215 +30000：￥0.836218 +75000：￥0.692465	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 247mA（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 41pF 25V 功率 - 最大值： 290mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

2N7002DWS-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	247mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	41pF 25V
功率 - 最大值:	290mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）