品牌： Harris Corporation

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.5A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.22Ohm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 4W (Ta), 75W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-204AA

封装/外壳： TO-204AA, TO-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-204AA, TO-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 5.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.22Ohm @ 5.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 4W (Ta), 75W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-204AA

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 400 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 39 nC @ 10 V