2SK2962(TE6,F,M)厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK2962(TE6,F,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92MOD 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体温度： -

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK2962(TE6,F,M) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： - 技术： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： - 工作温度： - 安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92MOD 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体温度： -

2SK2962(TE6,F,M)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	-
技术:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92MOD
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 长体
温度:	-