品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/385

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 100 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 6 V 500 pA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： 40 Ohms

功率 - 最大值： 360 mW

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： Solid State Inc.

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： 40 Ohms

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -

品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/385

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： 30 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 100 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 6 V 500 pA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： 40 Ohms

功率 - 最大值： 360 mW

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： Microchip

包装： *

封装/外壳： TO-18-3

系列：

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

商标： Microchip Technology

产品类型： JFETs

类型： JFET

温度： ~

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-18-3

系列：

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 40 V

闸/源截止电压： - 6 V

Vgs=0时的漏-源电流： 100 mA

Rds On-漏源导通电阻： 40 Ohms

Pd-功率耗散： 1.8 W

商标： InterFET

产品类型： JFETs

类型： JFET

温度： ~