品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/385

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： 40 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 4 V 0.5 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 360 mW

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： Solid State Inc.

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： 40 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： -

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： -

功率 - 最大值： 300 mW

工作温度： -

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -

品牌： Microchip Technology

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： Military, MIL-PRF-19500/385

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 40 V

漏源电压（Vdss）： 40 V

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 80 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 4 V 0.5 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 360 mW

工作温度： -65°C # 200°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件封装： TO-18

温度： -65°C # 200°C (TJ)

品牌： InterFET

包装： Bulk

封装/外壳： TO-18-3

系列： 2N485

产品种类： JFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

配置： Single

Vds-漏源极击穿电压： 15 V

Vgs-栅源极击穿电压 ： - 40 V

闸/源截止电压： - 4 V

Vgs=0时的漏-源电流： 80 mA

Id-连续漏极电流： 500 pA

Rds On-漏源导通电阻： 60 Ohms

Pd-功率耗散： 1.8 W

商标： InterFET

产品类型： JFETs

类型： JFET

单位重量： 572.200 mg

温度： ~

品牌： Microchip

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

产品种类： JFET

技术： Si

商标： Microchip Technology

产品类型： JFETs

类型： JFET

温度： ~