2SK879-Y(TE85L,F)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 2SK879-Y(TE85L,F) 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥1.535611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥0.843909 +200：￥0.582632 +1500：￥0.530077 +3000：￥0.495116 +45000：￥0.490139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥0.664366	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥1.625214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥5.715035 +10：￥4.914931 +100：￥3.414735 +500：￥2.665779 +1000：￥2.166713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： USM
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥5.715035 +10：￥4.914931 +100：￥3.414735 +500：￥2.665779 +1000：￥2.166713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： USM

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 0.1W USM 下载数据手册未分类	+1：￥6.533143 +10：￥5.618505 +100：￥3.903555 +500：￥3.054245 +1000：￥2.482595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： - 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 1.2 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： - 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-70，SOT-323 供应商器件封装： USM 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba 授权代理品牌	Trans JFET N-CH Si 3-Pin USM T/R 下载数据手册未分类	+248：￥1.088877 +500：￥1.049988 +1000：￥1.032234 +3000：￥1.023781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK879-Y(TE85L,F) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥0.920261 +100：￥0.911326 +200：￥0.90239 +500：￥0.870226 +1000：￥0.855931	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

2SK879-Y(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	-
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	1.2 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	-
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	400 mV 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8.2pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
供应商器件封装:	USM
温度:	125°C（TJ）