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Digi-Key
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2SK2145-BL(TE85L,F_晶体管-JFET
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 6 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 200 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13pF 10V

电阻 - RDS(On): -

功率 - 最大值: 300 mW

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度: 125°C(TJ)

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¥5.057614

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¥4.04609

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系列: -

工作温度: 125°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

供应商器件封装: SMV

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-74A, SOT-753

供应商器件封装: SMV

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2SK2145-BL(TE85L,F_未分类
2SK2145-BL(TE85L,F
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品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -

漏源电压(Vdss): -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 6 mA 10 V

漏极电流 (Id) - 最大值: -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 200 mV 100 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13pF 10V

电阻 - RDS(On): -

功率 - 最大值: 300 mW

工作温度: 125°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74A,SOT-753

供应商器件封装: SMV

温度: 125°C(TJ)

2SK2145-BL(TE85L,F参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
电压 - 击穿 (V(BR)GSS): -
漏源电压(Vdss): -
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 6 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值: -
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off): 200 mV 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13pF 10V
电阻 - RDS(On): -
功率 - 最大值: 300 mW
工作温度: 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74A,SOT-753
供应商器件封装: SMV
温度: 125°C(TJ)