2SK208-GR(TE85L,F)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2SK208-GR(TE85L,F) 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥0.661235 +100：￥0.617444 +300：￥0.573664 +500：￥0.529873 +2000：￥0.507977	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+20：￥1.663024 +100：￥1.124695 +800：￥0.825583 +3000：￥0.598224 +6000：￥0.568337	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+5：￥1.621642 +50：￥1.378432 +150：￥1.135101 +500：￥0.932426 +3000：￥0.810821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册未分类	+5：￥1.332581 +50：￥1.103108 +150：￥1.004763 +500：￥0.882159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+1：￥0.398453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册未分类	+3000：￥0.535954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册未分类	+1：￥1.602804 +30：￥0.52531 +100：￥0.434033 +500：￥0.409897 +1500：￥0.394509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥0.659846 +6000：￥0.64827 +9000：￥0.636694 +12000：￥0.625118	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥0.748133 +6000：￥0.717105 +9000：￥0.645348 +30000：￥0.635823 +75000：￥0.597548	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	JFET N-CH 50V SC59 下载数据手册晶体管-JFET	+3000：￥1.830133 +6000：￥1.754229 +9000：￥1.578692 +30000：￥1.555391 +75000：￥1.461762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 50 V 漏源电压（Vdss）： - 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 2.6 mA 10 V 漏极电流 (Id) - 最大值： 6.5 mA 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 400 mV 100 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.2pF 10V 电阻 - RDS(On)： - 功率 - 最大值： 100 mW 工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SC-59 温度： 125°C（TJ）

2SK208-GR(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):	50 V
漏源电压（Vdss）:	-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):	2.6 mA 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值:	6.5 mA
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):	400 mV 100 nA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8.2pF 10V
电阻 - RDS(On):	-
功率 - 最大值:	100 mW
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SC-59
温度:	125°C（TJ）