2N7002DW-7-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 2N7002DW-7-G 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+20：￥1.051248 +100：￥0.710875 +800：￥0.521873 +3000：￥0.378125 +6000：￥0.359249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.65351 +50：￥0.446424 +1500：￥0.400613 +3000：￥0.35901 +18000：￥0.350361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1：￥0.667603 +200：￥0.431332 +1500：￥0.376344 +3000：￥0.332585 +45000：￥0.328766	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	2N7002DW-7-G Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V SOT-363 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： - FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - 功率 - 最大值： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： - 温度： -

2N7002DW-7-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	-
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-
温度:	-